IBM تستثمر 1.5 مليار دولار في تطوير رقاقة

سوف تستثمر شركة آي بي إم مبلغ 1.5 مليار دولار لتعزيز جهودها في تصنيع وأبحاث أشباه الموصلات في ولاية نيويورك ، حسبما أعلنت الشركة يوم الثلاثاء.

سيتم تقسيم الأموال بين ثلاثة مشاريع تتعلق بتكنولوجيا النانو ، حسبما ذكرت آي بي إم. وهم يقومون بتحديث مصنعها في إيست فيشكيل ، نيويورك ؛ توسيع عملياتها في كلية العلوم والهندسة النانوية في جامعة ألباني ، وإنشاء مركز جديد للبحوث في تغليف الرقائق في موقع يتم تحديده في ولاية نيويورك. لم تذكر شركة IBM مقدار الأموال التي ستذهب إلى كل منها.

من جانبها ، تمنح ولاية نيويورك 140 مليون دولار أمريكي في شكل منح إنمائية في مقابل أعمالها. وقالت الدولة إنها تتوقع استثمارات آي بي إم لتوليد 1000 وظيفة جديدة في التكنولوجيا العالية في ولاية نيويورك.

يحاول باحثو آي بي إم تسريع تصغير دارات الرقاقات من خلال البحث على المستوى الذري للأشباه الموصلات 32 نانومتر و 22 نانومتر. إن جعل دوائر الرقاقات أصغر حجماً يسمح لأجهزة الكمبيوتر بتحقيق مكاسب في الأداء دون إحراق المزيد من الطاقة الكهربائية.

"ستحفز هذه الاستثمارات الجديدة التقدم المستمر في أبحاث وتطوير النانوتكنولوجي وأشباه الموصلات - بما في ذلك الجهود الجديدة في تغليف أشباه الموصلات" ، قال جون كيلي ، آي بي إم نائب الرئيس ومدير الأبحاث.

يقوم صانعو الرقاقات مثل Intel و Advanced Micro Devices باستمرار بتطوير تقنيات التصنيع الخاصة بهم لتقليص حجم الرقائق. حولت إنتل عملية التصنيع إلى 45 نانومتر في العام الماضي ، ومن المقرر أن تقوم أيه إم دي بتحرك مماثل في وقت لاحق من هذا العام. وتأمل إنتل في تقليص الملامح على رقائقها إلى 22 نانومتر بحلول عام 2011.

نانومتر يساوي حوالي واحد من مليار من المتر. في صناعة الرقائق ، يشير الرقم إلى أصغر الميزات المحفور على سطح الرقائق. ومع قيام صانعي الرقاقات ببناء ترانزستورات أصغر وأصغر ، فإنهم يتعاملون مع ميزات في بعض الحالات التي تكون فيها ذرات قليلة فقط.

كجزء من الجهود البحثية التي تقوم بها آي بي إم ، تقوم الشركة بتطوير تكنولوجيا النانو السيليكونية ، والتي يمكن أن تحل محل بعض الأسلاك على شريحة ذات نبضات من الضوء على الألياف البصرية الصغيرة ، لنقل البيانات بين النوى على رقاقة في سرعة البرق واستخدام القليل من الطاقة. كما أنها تعمل مع الجامعات لتطوير الأنابيب النانوية الكربونية ، والترانزستورات الأصغر التي يمكن أن تحقق أداءً أفضل.